当前位置:首页 > 现货金 > 宏微科技:1200V 40mohm SiC MOSFET芯片研制成功并已通过可靠性验证,部分产品已形成小批量出货 正文

宏微科技:1200V 40mohm SiC MOSFET芯片研制成功并已通过可靠性验证,部分产品已形成小批量出货

来源:心头撞鹿网   作者:白银TD   时间:2025-05-17 09:17:00

标签:

责任编辑:宏观研究